欧亿平台登录地址_SiC衬底GaN基发光二极管的研制

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【欧亿平台登录地址】1994年,日本日亚化学公司突破了GaN材料温度梯度生长的关键技术。随即通过热处理技术构建出P型GaN,进而成功研制出GaNLED。

近年来,随着外延技术的进步,GaNLED的内部量子效率有了很大的提高。通过集成粗化、倒装、PSS衬底等技术。目前,氮化镓基发光二极管已广泛应用于全彩显示、交通信号灯、车灯、液晶背光、室内灯和路灯等领域。

半导体灯已经日趋成熟,走出千家万户。目前,大多数氮化镓基发光二极管是由廉价的蓝宝石作为衬底材料制成的。然而,蓝宝石衬底和氮化镓材料之间的晶格失配大约低17%。

如此大的晶格失配导致高晶格密度,这导致氮化镓发光二极管中非电磁辐射填充中心的激增,这使得氮化镓发光二极管中的量子效率进一步提高。碳化硅衬底与氮化镓材料的晶格相容性仅为3%,几乎大于蓝宝石衬底与氮化镓材料的晶格相容性。因此,外延生长在碳化硅衬底上的氮化镓材料的晶格密度不会更小,晶体质量也不会更高。

同时,碳化硅的热导率(4.2W/cm。k)远高于蓝宝石,不利于器件在大电流下工作。图1碳化硅衬底上外延氮化镓的x光半长结果。然而,碳化硅衬底的制作具有很高的可玩性,外延氮化镓的温度梯度也具有一定的可玩性。

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所以SiC衬底上GaNLED的制造技术仅限于少数控制SiC衬底制造技术的公司,比如美国的CREE。目前,美国Cree公司生产的GaNLEDPCB,在变成白光后,照明效率已经欧亿平台登录地址达到200mm/W,相比同行业其他厂商。_欧亿平台登录地址。

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